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三星电子预计2025年前推出新一代内存HBM4

发布日期:2024-04-25 09:25    点击次数:160

  据三星半导体官网10月10日发布的文章,三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊表示,预计公司将在2025年前推出新一代内存HBM4。三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜(NCF)组装技与混合键合(HCB)等技术,以应用于HBM4产品。

  黄尚俊透露,三星电子已开发出9.8Gbps的HBM3E,计划开始向客户提供样品。



 




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